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EEPW首页 > EDA/PCB > 业界动态 > 三星3纳米超车台积电?重要数据曝光!结局出乎意料

在4月中的法说会曾透露,预计今年下半年量产,2纳米制程的量产时间则落在2025年,没想到上周公开表示,公司将在未来几周内量产。若此事成真,将抢先量产,然而在制程利率的问题仍是外界关注焦点,先前有外媒披露,三星3纳米的良率最高仅2成,迫使部分IC 设计大厂选择转单至
科技网站Tom's Hardware报导,三星上周发出一份公开声明,内容提到公司将透过世界上首次大规模生产3纳米GAA技术来加强技术在产业领先的地位,有望在本季,即未来几周内开始量产。
另一方面,台积电4月中法说会曾提到,3纳米制程预计年底量产,2纳米按照进度开发,预计2024年进入风险试产阶段,于2025年量产。台积电3纳米使用的是FinFET架构,与三星使用的GAA架构不同,台积电要是在2纳米才转向使用GAA架构。
若三星真的在本季量产3纳米,代表他们将超车台积电,但产品的良率仍是关注焦点,先前有外媒披露,三星3纳米由于专利IP数量的不足,导致良率仅10至20%左右,这使得客户出现担忧,且三星4纳米的良率虽然有较高的35%良率,但远远不及台积电的7成,使得高通选择转单台积电。

本文引用地址:/article/202205/433723.htm


关键词: 三星 3纳米 台积电
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